电气与光电工程美高梅4858mgm学术报告预告
发布时间: 2020-10-29 浏览次数: 21


报告题目:新型高k栅与场效应器件集成

报告人:何刚

报告时间:2020114(周三) 下午3:00

报告地点:C105

主办单位:电气与光电工程美高梅4858mgm

报告人简介:

何刚,安徽大学物理与材料科学美高梅4858mgm教授,博士生导师,安徽省学术与技术带头人,合肥市第八批专业技术拔尖人才。2006年在中科院固体物理研究所获得博士学位。2007-2009在日本东京大学应用化学系开展JSPS海外特别研究员工作;2009-2011在日本国家材料所开展高级研究员工作。2011年到安徽大学物理与材料科学美高梅4858mgm工作。主要从事新型高k栅介质的设计、制备及与器件集成相关的科研工作。主要的研究内容:新型高k栅的掺杂设计及结构优化、高k栅的界面钝化、以及高k栅在场效应器件与薄膜晶体管方面的应用等。迄今为止,已在Pro. Mater. Sci; Sur. Sci. Re;, Adv. Electro Mate;, Appl. Phys. Lett; Phy. Rev. B; IEEE TED等国际学术期刊上发表SCI论文200余篇。发表论文总被Nature Mater., J. Am. Chem. Soc..,等国际学术期刊论文引用3500余次, H因子30;主持和参加科技部重点研发计划、国家自然科学基金、教育部重点项目、安徽省自然基金等项目。安徽省自然科学二等奖获得者。

报告内容简介:

集成电路的快速发展已导致其核心部件场效应晶体管的栅介质层接近原子尺度,栅极漏电和静态功耗急剧增加,硅基器件的发展已接近其物理极限。因此器件持续微型化受到器件结构、材料及工艺等诸多因素的严重制约,必须针对功耗、性能提高、工艺等问题,在材料选择、器件结构及加工技术等方面来寻求突破。本报告的第一部分,介绍集成电路及高k栅介质的研究背景及我们在硅基高k栅材料选择及界面修饰方面的研究工作。另一方面,针对高k栅介质本身的缺陷及硅基的服役周期物理问题,介绍我们在高迁移沟道材料与高k栅异质集成方面的研究工作。最后,结合新型高k栅的优势,介绍我们目前在薄膜晶体管方面取得的研究进展。



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